盖世汽车讯 4月29日,英飞凌科技股份公司推出全新CoolSiC? MOSFET 750 V G2技术,旨在提升汽车和工业电源转换应用的系统效率和功率密度。CoolSiC MOSFET 750 V G2技术可提供精细化的产品组合,在25℃时的典型导通电阻(RDS(on))高达60 mΩ,适用于各种应用,包括车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动汽车辅助设备(xEV),以及电动汽车充电、太阳能逆变器、储能系统、电信和开关电源(SMPS)等工业应用。
盖世汽车讯 4月29日,英飞凌科技股份公司推出全新CoolSiC? MOSFET 750 V G2技术,旨在提升汽车和工业电源转换应用的系统效率和功率密度。CoolSiC MOSFET 750 V G2技术可提供精细化的产品组合,在25℃时的典型导通电阻(RDS(on))高达60 mΩ,适用于各种应用,包括车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动汽车辅助设备(xEV),以及电动汽车充电、太阳能逆变器、储能系统、电信和开关电源(SMPS)等工业应用。
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